收藏本站
IXFN 60N80P
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
SOT-227B Outline
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g(on)
Q gs
Q gd
R thJC
R thCS
V DS = 20 V; I D = I T , Note 1
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = I T
R G = 1 ? (External)
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = I T
35
67
18
1200
44
36
29
110
26
250
90
78
0.05
0.12
S
nF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
° C/W
° C/W
Source-Drain Diode
Characteristic Values
Symbol
Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
I S
I SM
V SD
t rr
Q RM
I RM
V GS = 0 V
Repetitive
I F = I S , V GS = 0 V, Note 1
I F = 25A, -di/dt = 100 A/ μ s
V R = 100V
0.6
6.0
60
150
1.5
250
A
A
V
ns
μ C
A
Notes:
1. Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
Test current I T = 30 A
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by 4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344
6,727,585
one or moreof the following U.S. patents:
4,850,072
4,881,106
5,017,508
5,034,796
5,063,307
5,187,117
5,381,025
5,486,715
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,534,343
6,583,505
6,710,405B2
6,710,463
6,759,692
6,771,478 B2
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IXFN62N80Q3 MOSFET N-CH 800V 49A SOT-227
IXFN64N50PD2 MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B
IXFN64N50P MOSFET N-CH 500V 61A SOT-227
IXFN64N60P MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227
IXFN70N60Q2 MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227B
IXFN72N55Q2 MOSFET N-CH 550V 72A SOT-227B
IXFN73N30Q MOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B
IXFN80N48 MOSFET N-CH 480V 80A SOT-227B
相关代理商/技术参数
IXFN61N50 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:High Current Power MOSFET
IXFN62N80Q3 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/49A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN64N20 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs
IXFN64N50P 功能描述:MOSFET 500V 64A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN64N50P_09 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFN64N50PD2 功能描述:分立半导体模块 64 Amps 500V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装:
IXFN64N50PD3 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFN64N60P 功能描述:MOSFET 600V 64A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube